2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/13434
Browse
2 results
Search Results
Item Образование бинарных соединений примесных атомов серы и цинка в кремнии(2024) Хаккулов, М.К.; Мавлянов, А.Ш.; Саттаров, О.Э.; Акбарова, Н.А.; Камалова, Х.К.Приведены сведения о термодинамических условиях и технологических этапах формирования бинарных элементарных ячеек типа цинк-и-сера (ZnS) в монокристаллическом кремнии с примесными атомами элементов II и VI групп – цинка и серы. Установлены термодинамические условия формирования таких элементарных ячеек в кремнии. Показано, что до образования нанокластеров бинарных соединений атомов цинка и серы эти элементы находятся обособленно или в виде различных соединений. Раскрыты возможности получения на основе кремния новых материалов с уникальными фундаментальными свойствами посредством формирования ячеек и бинарных соединений типа ZnS с управляемой концентрацией. На сканирующем туннельном микроскопе определен элементарный состав бинарных соединений, сформированных в объеме и на поверхности кремния. Анализ результатов показал, что в кристалле кремния формируются бинарные соединения типа ZnS с новыми электро-физическими параметрами.Item Кремний с бинарными соединениями GexSi1-x(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Наркулов, Н.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Неъматов, О.С.Приводятся результаты исследований электрофизических, фотоэлектрических и магнитных свойств образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами германия. Показано, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется с глубиной исходного кремния. Разработанная диффузионная технология легирования кремния примесными атомами германия позволила получить материал с различными концентрациями примесных атомов германия с удельным сопротивлением и типом проводимости. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов, что позволило показать возможности создания новых видов датчиков и приборов в полупроводниковой электронике, Проведенные исследования позволяют развивать соответствующее направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.