2. Articole

Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/13434

Browse

Author: search.filters.author.Исмайлов, Б.К.Subject: search.filters.subject.gettering

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Влияние гамма-облучения на электрофизические параметры кремниевых фотоэлементов, легированных никелем
    (2024) Кенжаев, З.Т.; Илиев, Х.М.; Оджаев, В.Б.; Мавлонов, Г.Х.; Просалович, В.С.; Косбергенов, Е.Ж.; Исмайлов, Б.К.; Исамов, С.Б; Олламбергенов, Ш.З.
    Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров (Uxx – напряжение холостого хода, Jкз – плотность тока короткого замыкания, и τ – время жизни неравновесных носителей заряда) фотоэлементов, изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости с удельным сопротивлением ρ 0,5 Ом см, легированных никелем, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Показано, что у фотоэлементов, легированных никелем, эффективность преобразования солнечной энергии остается выше, чем у стандартных, вплоть до доз облучения 108 рад. Обнаружено, что c увеличением температуры диффузии атомов никеля радиационная устойчивость электрофизических параметров фотоэлементов увеличивается. Снижение концентрации рекомбинационно-активных радиационных дефектов обусловлено геттерированием атомами никеля технологических (фоновых) примесей и действием скоплений никеля как стоков для радиационно-индуцированных вакансий.