2. Articole
Permanent URI for this collectionhttps://msuir.usm.md/handle/123456789/13434
Browse
Item Электрические свойства FeGa0,4In1,6Se4 на переменном токе(2024) Нифтиев, Н.Н.; Дашдемиров, А.О.; Мамедов, Ф.М.; Агаева, Р.М.Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa0,4In1,6Se4 на переменном токе. В кристалле FeGa0,4In1,6Se4 нормальная дисперсия возникает в диапазоне частот 2·102 ÷ 104 Гц, а распределение дефектов по времени жизни подчиняется закону n(τ) ~ τ−1,75. С повышением температуры причиной увеличения значения действительной части диэлектрической проницаемости является возрастание концентрации дефектов. Наблюдаемое в эксперименте монотонное уменьшение мнимой части диэлектрической проницаемости в зависимости от частоты свидетельствует о наличии релаксационной дисперсии в кристалле FeGa0,4In1,6Se4. Установлено, что в температурном интервале 294,5 ÷ 3343 K при частотах 2·102 ÷ 106 Гц для электропроводности выполняется закономерность σ ~ fS (0,1 ≤ S ≤ 1,0). Показано, что проводимость в этих кристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Из зависимостей определены энергии активации.