Repository logo
Communities & Collections
All of DSpace
  • English
  • العربية
  • বাংলা
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Ελληνικά
  • Español
  • Suomi
  • Français
  • Gàidhlig
  • हिंदी
  • Magyar
  • Italiano
  • Қазақ
  • Latviešu
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Српски
  • Svenska
  • Türkçe
  • Yкраї́нська
  • Tiếng Việt
Log In
New user? Click here to register.Have you forgotten your password?
  1. Home
  2. Browse by Author

Browsing by Author "Scurtu, Roman"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 4 of 4
  • Results Per Page
  • Sort Options
  • Thumbnail Image
    Item
    Current flow mechanism in ZnSe-ZnO-Pd structures [Articol]
    (CEP USM, 2010) Scurtu, Roman; Gașin, Petru; Chetruș, Petru
    Structurile MOS au fost obţinute folosind ca suporturi plăcuţe monocristaline de ZnSe orientate în direcţia [110] cu grosimea 3-5mm. Monocristalele de ZnSe au fost tratate în zinc +0,1%Al la 950ºC timp de 100 ore, în vid. Concentraţia electronilor la 300 K este de 1,85x1016cm-3, iar mobilitatea – 466 cm2 /VS. În calitate de oxid s-au folosit straturi subţiri de ZnO, obţinute prin tratarea cristalelor de ZnSe în apă oxigenată. Grosimea stratului de ZnO depinde de timpul de tratare chimică şi alcătuieşte 4-13 nm. Contactul metalic, strat subţire din Pd, a fost obţinut prin evaporare termică în vid. Ca contact ohmic la cristalele de ZnSe s-a folosit In obţinut prin tratare în aer la 370ºC timp de 30-120 sec. La polarizări directe, curentul depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi, la tensiuni de până la 0,7 V, e determinat de curentul de tunelare, iar mai mare de 0,7 V – de procesele de recombinare. Factorul de idealitate variază de la 2,86 –la 93 K la 1,47 – la 333 K. Potenţialul de difuzie variază între 0,8 V şi 1,28 V, corespunzător la 353 K şi 113 K. La polarizarea inversă este o funcţie de putere şi are factorul de putere 3,93 la 113 K şi de 2,42 la 353 K. La polarizări directe 2÷3 V şi T=77 K structurile Pd-ZnO-ZnSe radiază în regiunea albastră. La 77 K se observă două fâşii: prima mai intensivă, cu maximul 2,7 eV, şi alta – cu maximul 2,06 eV.
  • Thumbnail Image
    Item
    Hysteresis and bistability in the I-V characteristics of P-N junctions [Articol]
    (CEP USM, 2013-09-26) Klyukanov, Alexandr; Scurtu, Roman
  • Thumbnail Image
    Item
    Mecanismul de transport al curentului şi luminescenţa structurilor Pd-ZnSe [Articol]
    (UTM, 2009-10-01) Scurtu, Roman; Gașin, Petru; Covali, Andrei
    Au fost analizate proprietăţile electrice şi de luminescenţă ale structurilor Schottky ZnSe-Pd obţinute pe baza monocristalelor de ZnSe cu rezistivitatea de 0.78 Ω•cm şi concentraţia electronilor 1.82 10 16 cm-3 . S-a determinat mecanismul de transport al purtătorilor de sarcină prin structură. La polarizări directe curentul depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi este determinat de emisia electronilor. La polarizări inverse dependenţa curentului de tensiune este descrisă de o funcţie de putere, cu factorul m=3÷6. Cu mărirea temperaturii curentul invers creşte exponenţial, ceea ce indică faptul că în mecanismul de transport predomină procesele de tunelare. La polarizări directe şi temperaturi ~80 K structurile Pd-ZnSe iradiază lumină în regiunea albastră a spectrului cu maximul de luminescenţă la 2.7 eV.
  • Thumbnail Image
    Item
    Metode experimentale de studiere a stărilor de suprafaţă în compuşii stratificaţi de tip AIII BVI [Articol]
    (Tipografia Universității de Stat „Alecu Russo” din Bălți, 2005-10-05) Blaj, Octavian; Scurtu, Roman; Evtodiev, Igor

DSpace software copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Privacy policy
  • End User Agreement
  • Send Feedback
Repository logo COAR Notify