Browsing by Author "Rusnac, Dumitru"
Now showing 1 - 7 of 7
- Results Per Page
- Sort Options
Item Formarea stării excitate triplet în straturile subțiri dopate cu GA sintetizate din soluție [Articol](CEP USM, 2020) Rusnac, Dumitru; Lungu, Ion; Potlog, TamaraItem Influența grosimii stratului de Cd1-xMnxTe asupra parametrilor fotovoltaici ai heterojoncţiunii CdS/Cd1-xMnxTe [Articol](CEP USM, 2017) Suman, Victor; Fedorov, Vladimir; Rusnac, DumitruHeterojoncțiunile CdS/Cd1-xMnxTe au fost obținute aplicând metoda de volum cvasiînchis. La studierea proprietăților electrice și fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescut esențial datorită tratării termice în clorură de cadmiu, iar eficiența celulei solare (CS) este de 10,29%. Aceasta se datorează micșorării recombinării purtătorilor de sarcină la suprafață și particularităților proprietăților electrice și fotoelectrce ale acestor structuri.Item Influența grosimii stratului de Cd1-xMnxTe asupra parametrilor fotovoltaici ai heterojonctiunii/CdS/Cd1-xMnxTe [Articol](CEP USM, 2017) Rusnac, DumitruHeterojunction CdS/Cd1-xMnxTe have been obtained by quasi-closed volume method. Photosensibility increases sharply due to the thermal treatment in the cadmium chloride analyzing electrical and photoelectrical properties of these structures. The solar cell efficiency is 10.29% and is caused by decreased recombination process and specific electrical and photoelectrical properties.Item Item Item Obţinerea straturilor subţiri de ZnO cu conductibilitate înaltă prin pulverizare magnetron a ţintelor preparate în vapori halogenici [Articol](CEP USM, 2020) Rusnac, Dumitru; Fedorov Vladimir; Colibaba, GlebItem Structural and optical properties of ZnO:Ga thin films deposited on ito/glass substrates for optoelectronic applications [Articol](Academia de Ştiinţe a Moldovei, 2021) Rusnac, Dumitru; Lungu, Ion; Colibaba, Gleb; Potlog, TamaraDoped (with GaCl3), undoped ZnO and ITO/ZnO:Ga nanostructured thin films are synthesized using the spray pyrolysis method. The doped ZnO thin films are synthesized at the atomic ratio of Ga/Zn added in the starting solution fixed at 1, 2, 3, and 5. Gallium-doped ZnO films synthesized on glass/ITO substrates are annealed at 4500C in different environments: vacuum, oxygen, and hydrogen. X-ray diffraction (XRD), Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), atomic force microscopy (AFM), and current–voltage (I–V) measurements are applied to characterize the structural properties, composition, surface morphology, and electrical properties of ZnO:Ga nanostructured thin films. X-ray diffraction analysis shows that ZnO:Ga films deposited on glass substrates have a dense and homogeneous surface with a hexagonal structure. The ZnO:Ga films deposited on glass/ITO substrates are composed of two phases, namely, hexagonal ZnO and cubic ITO. The I–V characteristics show the presence of good ohmic contacts between Al and In metals and ZnO:Ga thin films regardless of the nature of the substrate and the annealing atmosphere.