Repository logo
Communities & Collections
All of DSpace
  • English
  • العربية
  • বাংলা
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Ελληνικά
  • Español
  • Suomi
  • Français
  • Gàidhlig
  • हिंदी
  • Magyar
  • Italiano
  • Қазақ
  • Latviešu
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Српски
  • Svenska
  • Türkçe
  • Yкраї́нська
  • Tiếng Việt
Log In
New user? Click here to register.Have you forgotten your password?
  1. Home
  2. Browse by Author

Browsing by Author "Rotaru, I."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Results Per Page
  • Sort Options
  • Thumbnail Image
    Item
    Fotoluminescenţa structurilor nanolamelare cu puncte metalice obţinute prin intercalarea monocristalului de GaS [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Rotaru, I.
    În lucrare sunt studiate spectrele de fotoluminescenţă (FL) a cristalelor de GaS şi GaS intercalat cu atomi de Cd. Intercalarea cu Cd, a lamelor de GaS s-a efectuat prin tratament termic la temperatura 750K, timp de 6 ore, în atmosferă de vapori ai metalului. Pe suprafaţa exterioară şi în spaţiul dintre împachetările S-Ga-Ga-S se formează puncte de Ga, aranjate preponderent sub formă de hexagoane deformate. Spectrul de FL a cristalelor GaS intercalate cu Cd conţine o bandă cu contur simplu la temperatura T=293K; şi două benzi la T=78K. Banda cu maxim la 2,424 eV are structura compusă din repetări fononice ale emisiei excitonilor indirecţi.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical properties of compounds with submicron points obtained through Ga2S3 intercalation with Cd [Articol]
    (Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2012) Racoveț, O.; Evtodiev, I.; Caraman, Iu.; Rotaru, I.; Lazăr, G.
    Luminescence and optical absorption spectra of Ga2S3 single crystals were investigated at temperatures of 78 K and 293 K. Optical band gap is equal to 3.27 eV and 3.457 eV at 293 K and 78 K respectively. Luminescence spectrum of single crystal lamellas at temperature of 78K consists of three bands with peaks at 2.04 eV, 1.84 eV and 1.66 eV.Native structural defects form deep recombination and electronic capture levels localized within the Ga2S3 band gap.

DSpace software copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Privacy policy
  • End User Agreement
  • Send Feedback
Repository logo COAR Notify