Browsing by Author "Potlog, Tamara"

Now showing 1 - 20 of 42

CARACTERIZAREA HETEROSTRUCTURILOR CdS/CdTe/Te CU AJUTORUL CARACTERISTICILOR CAPACITATE-TENSIUNE
(CEP USM, 2009) Potlog, Tamara; Spalatu, Nicolae; Maticiuc, Natalia
Thin Film CdS/CdTe heterojunctions were fabricated by close space sublimation at the substrate temperature 340 ± 5ºC and evaporator temperature 610oC± 5ºC. Capacitance-voltage characteristics in the region of temperatures 313 K – 363 K were measured. Was established that the capacitance of heterojunction CdS/CdTe/Te increases from 658 (cm2/pF)2, T=313 K to 1096 (cm2/pF)2, T=393 K. The width space charge region at room temperature is 7,4 μm, but at the tempera-ture of 393 K are 0,15 μm. In the above mentioned temperature region the potential contact barrier height decreases from 0,8 V at room temperature (293 K) up to 0,12 V at the temperature of 393K. The ionized-charge concentration profi le (NA-ND)is not constant, but it is increasing together with the enlarging of the depth of heterojunction and measure tem-perature, indicating to a high density of the states in the space charge region
CARACTERIZAREA STRUCTURALĂ A STRATURILOR SUBȚIRI DE Sb2Te3 FABRICATE PRIN METODA SUBLIMĂRII ÎN VOLUM CUAZI-ÎNCHIS
(CEP USM, 2024) Untila, Dumitru; Lungu, Ion; Suman, Victor; Gadiac, Ivan; Potlog, Tamara
Straturi subțiri de Sb2Te3 au fost obținute pe suporturi de sticlă ITO/CdS prin metoda sublimării în volum cuazi-închis (CSS). Prin analiza difracției razelor X, s-a constatat că straturile subțiri de Sb2Te3 au rețea cristalină hexagonală, ce aparține grupului spațial P6/mmm. Creșterea temperaturii evaporatorului de la 470°C până la 530°C, duce la modificarea orientării preferabile de creștere a cristalitelor compusului Sb2Te3 și la creșterea gradului de cristalinitate a acestuia. Investigațiile Raman, au confirmat rezultatele XRD și au fost folosite pentru a obține informații suplimentare asupra structurii straturilor subțiri de Sb2Te3. Caracteristica dubletului observat la 119,54 cm–1 și 138,83 cm–1, precum și la 93,65 cm-1 si 107,36 cm-1 cu intensitate integrală foarte mică pot fi atribuite interacțiunii Te-Te între pachetele de telurură de antimoniu.
THE CARACTERIZATION OF THE CdS-BASED SOLAR CELL HETEROJUNCTIONS
(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2010-10-11) Potlog, Tamara; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Spalatu, Nicolae; Maticiuc, Natalia; Raevschi, Simion
The CdS-based solar cell heterojunctions (HJ) have been obtained by growth of CdS at relatively lower temperature using the close space sublimation method(CSS). Investigation of the photovoltaic characteristics shows an efficiency of about 12 % for InP/CdS and 9.6 % for CdS/CdTe solar cell HJ. The analysis of the forward dark current-voltage and the capacitance-voltage characteristics indicate a tunnelling recombination current which flows through states near or at the interfaces of a thermal energy of about 0.62 eV for CdS/CdTe and 0.42 eV for InP/CdS solar cell heterojunctions. The solar energy conversion efficiency is influenced by the interface states through the open circuit voltage and the fill factor.
CERCETĂRI XRD ȘI XPS ALE STRATURILOR DE AlN, AlGaN, GaN DEPUSE PE SILICIU PRIN METODA HVPE
(CEP USM, 2018) Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, Marius
Prin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia suprafeței, precum și a secțiunilor transversale ale structurilor a fost cercetată prin metoda SEM (Scanning Electron Microscopy) de rezoluție înaltă. Compoziția în secțiune transversală a structurilor a fost studiată prin metoda XRD (X-Ray Diffraction method), iar de suprafață – prin metoda XPS (X-Ray Photoelectronic Spectroscopy). Afară de aluminiu, galiu și azot în straturi au fost depistate oxigen și carbon. S-a stabilit că concentrația oxigenului pe suprafața straturilor de GaN, depuse la temperaturi relativ mai joase, este mai mică. Se presupune că concentrația ridicată a oxigenului în straturi are loc în urma descompunerii cuarțului, din care este confecționat reactorul, la temperaturi ridicate. S-a constatat că încorporarea galiului în straturile de AlGaN este diminuată de fluxul precursorilor aluminiului. Prin aceasta se demonstrează că viteza reacțiilor chimice ale precursorilor azotului cu ale aluminiului este semnificativ mai mare decât cu ale galiului, ultimele fiind înlăturate din zona de depunere de fluxul gazului de transport.
CHARACTERIZATION OF PHOTOVOLTAIC DEVICES BASED ON CDTE
(CEP USM, 2014) Dumitriu, Petru; Maticiuc, Natalia; Potlog, Tamara
CONVERTOARE FOTOVOLTAICE TiO 2 / p -CdTe Ş I TiO 2 / n -CdSe
(CEP USM, 2014) Dumitriu, Petru; Potlog, Tamara
În această lucrare este descris procesul de fabricare şi proprietăţile fotoelectrice ale convertoarelor fotovoltaice bazate pe structurile TiO2/CdSe şi TiO2/CdTe. Cele mai bune valori ale tensiunii circuitului deschis şi ale densităţii curentului de scurtcircuit pentru structura TiO2/CdSe sunt 0,43 V şi, respectiv, 9,12 mA/cm2 , iar pentru dispozitivul cu CdTe – 0,59 V şi 9,5 mA/cm2, respectiv. Eficienţa cea mai ridicată pentru structura TiO2/CdSe este de 1,63%, iar pentru TiO2/CdTe – de 1,98%
COPPER-RELATED DEFECTS IN ZnTe THIN FILMS GROWN BY THE CLOSE SPACE SUBLIMATION METHOD
(Academia de Ştiinţe a Moldovei, 2022) Lungu, Ion; Ghimpu, Lidia; Untila, Dumitru; Potlog, Tamara
Low-temperature photoluminescence (PL) is used to study defects evolution via immersion technique and annealing in vacuum of ZnTe thin films. In this paper we studied how copper doping from solutions of different molar concentrations affects PL of ZnTe thin films grown by close space sublimation (CSS) method. Undoped ZnTe thin films showed PL emission in the (520-680) nm wavelength region. The incorporation of copper in ZnTe produce a number of broad emission bands that correspond to an electron transition from the conduction band to spin-orbit states of the localized level of Cu2+ ions. All the studied samples had variable concentrations of oxygen and the possibility of the formation of auxiliary oxides is discussed.
DERIVAȚI CALCONICI CU GRUPA 4-(DIMETILAMINO)FENIL ÎN APLICAȚII FOTOVOLTAICE
(CEP USM, 2024) Popuşoi, Ana; Potlog, Tamara; Robu, Ştefan; Jora, Elena
In this paper, dye-sensitized solar cells (DSSCs) are fabricated and studied using chalconic derivatives as sensitizing dyes. The chalconic derivatives containing the 4-N,N-dimethyl group present two absorption bands with maxima located at the 241 nm and 416 nm, with maximum intensity in the visible region and absorption coefficient of the order 104 cm-1. The analysis of the current-voltage characteristics of the DSSCs with the respective chalconic derivative indicattes the best solar energy conversion efficiency (η = 0.4%), due to the fact that it has the highest absorption value in the band located in the visible region. The best short-circuits current density with value of 2.45 mA/cm2. are obtained for the DSSCs sensitized with chalconic derivative containing 4-N, N-dimethyl SH group.
DISPOZITIVE FOTOVOLTAICE PE BAZA FTALOCIANINEI DE CUPRU FABRICATE PRIN METODA VOLUMULUI CVASIÎNCHIS
(CEP USM, 2016) Duca, Dumitru; Potlog, Tamara
În cadrul acestui studiu au fost cercetate proprietăţile fizice ale straturilor subţiri de ftalocianină de cupru (CuPc) depuse în vid prin metoda volumului cvasiînchis, dar şi a dispozitivelor fotovoltaice pe baza acestora. A fost studiată influenţa tratării termice asupra structurii şi proprietăţilor optice ale straturilor CuPc utilizând metoda difracţiei de raze X şi spectroscopia optică (transmitanţa, reflectanţa). Au fost fabricate structurile ITO/CuPc/Al şi ITO/PEDOT:PSS/CuPc/Al şi studiate proprietăţile fotoelectrice ale acestora. S-a constatat ca utilizarea stratului de PEDOT:PSS îmbunătăţeşte parametrii fotovoltaici, în special tensiunea de circuit deschis.
EFFECT OF CARRIER GAS AND VACUUM ANNEALING ON THE PHYSICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS DOPED WITH GALLIUM BY CHEMICAL SPRAY PYROLYSIS
(Editura "Tehnica-UTM", 2018-05-24) Potlog, Tamara; Lungu, Ion; Botnariuc, Vasile; Raevschi, Simion; Worasawat, Suchada; Mimura, Hidenori; Gorceac, Leonid
Structural, optical and electrical properties of zinc oxide thin films doped with 2% Ga, annealed in the vacuum at the same temperature and obtained onto glass substrates by the chemical spray pyrolysis method in the different gas atmospheres were investigated by X-ray Diffraction (XRD), UV-VIS spectrophotometry and Hall measurements, respectively. XRD studies revealed that all films were polycrystalline in nature, with a hexagonal wurtzite crystal structure and a predominant (002) c-axis orientation. All ZnO:Ga thin films had higher than 80 % transmittances in the visible region. Doping with 2% Ga led to a decrease in the optical band gap indifferent of the nature of the carrier gas. The synthesis of ZnO thin films with 2% Ga doping and annealing in the same conditions in Ar and O2 atmospheres led to the lower conductivity with electron concentration of 1016 cm−3.
EFFECT OF CHLORINE DOPING ON CdTe THIN FILMS
(2013) Dumitriu, Petru; Potlog, Tamara; Mîrzac, Alexandra; Dmitroglo, Liliana; Luca, Dumitru
This paper analyzes the effect of chlorine treatment on the structure and resistance of CdTe layers. The morphology, chemical composition, and structure were studied using scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray analysis (EDX), and X-ray diffraction (XRD). Both non-activated and activated CdTe layers are polycrystalline with an average grain size being three times higher after chlorine activation and thermal treatment. All CdTe thin layers regardless of the treatment temperature have a cubic crystal structure.
EFFECT OF THE GRAIN SIZES ON THE PHOTOVOLTAIC PARAMETERS OF CDTE SOLAR CELLS PREPARED BY CLOSE SPACE SUBLIMATION METHOD
(CEP USM, 2007) Potlog, Tamara
Celulele solare CdS/CdTe sunt fabricate prin metoda volumului cvasiînchis la temperaturi ale suportului cuprinse între 300 ± 5ºC şi 340 ± 5ºC. Cei mai buni parametri fotovoltaici au fost atinşi la temperatura suportului de 320ºC şi la temperatura evaporatorului de 610ºC. Tensiunea de circuit deschis şi densitatea curentului de scurt circuit se modifică semnificativ cu modificarea temperaturii suportului şi depinde de dimensiunea cristalitelor.Cea mai mare valoare a densităţii curentului de scurtcircuit şi a tensiunii de circuit deschis se atinge pentru celulele solare cu dimensiunea cristalitelor cuprinsă între 1,0 μm şi ~5,0 μm. Au fost obţinute celule solare CdS/CdTe cu o eficienţă de ~ 10%. Aşadar, dimensiunea cristalitelor este un parametru care limitează eficienţa cuantică a celulelor solare.
ELABORAREA DISPOZITIVELOR FOTOVOLTAICE PE BAZA SEMICONDUCTORILOR ORGANICI/ANORGANICI
(2022) Fortună, Vadim; Potlog, Tamara
Scopul lucrării: Elaborarea şi optimizarea tehnologiei de sinteză din soluții chimice, prin metoda centrifugării și metoda picăturii, a straturilor subțiri pe baza ftalocianinei de zinc, precum și studierea proprietăților structurale și optice ale straturilor obținute, pentru implementarea lor în producerea dispozitivelor fotovoltaice.
ELABORAREA TEHNOLOGIEI DE FABRICARE A CELULELOR SOLARE ITO/CdS/CdTe PE SUPORTURI FLEXIBILE
(CEP USM, 2007) Potlog, Tamara; Spalatu, Nicolae; Caproş, Nina
The development of high efficiency, stable, lightweight and flexible solar cell is important for terrestrial and space applications. We have developed a novel process to make solar cells on flexible polymer sheets. A thin layer of CdTe compound semiconductor is used for the absorption of solar light and generation of electrical current. In this work the solar electricity conversion efficiency of 4,66% is the highest efficiency reported for a solar cell grown on a polymer sheet.
ELECTRICAL PROPERTIES OF THERMAL ANNEALED IN VACUUM SPRAY DEPOSITED AL-DOPED ZnO THIN FILMS
(Springer Nature, 2020) Potlog, Tamara; Lungu, Ion; Raevschi, Simion; Botnariuc, Vasile; Robu, Stephan; Worasawat, Suchada; Mimura, Hidenori
Al-doped ZnO thin films have been prepared by spray pyrolysis, which facilitates the incorporation of a higher percentage of dopant atoms. The vacuum thermally annealed at 420 °C temperature thin films have been characterized by X-ray diffraction (XRD), optical spectroscopy. Electrical conductivity and the Hall effect are investigated in the temperature interval (77–300) K. X-ray analysis results reveal that all the films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure with a preferential orientation according to the direction (002) plane. Different characters of the temperature dependence of conductibility are observed in the Al-doped ZnO films vacuum thermally annealed at 420 °C temperature. In all cases, the conductivity, mobility carriers and carriers’ concentration of ZnO thin films obtained under Ar are higher than under O2 atmosphere, unless they are not doped. of your paper no longer than 300 words.
ELECTRICAL PROPERTIES OF THERMALLY ANNEALED CdS THIN FILMS OBTAINED BY CHEMICAL BATH DEPOSITION
(Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2011-10-17) Scorțescu, Dumitru; Maticiuc, Natalia; Nicorici, Valentina; Spalatu, Nicolae; Potlog, Tamara; Hiie, Jaan; Valdna, Vello
Electrical conductivity and the Hall-effect are investigated in the temperature interval (80-400) K on thermally annealed in H 2 CdS thin films obtained by chemical bath deposition. Different characters of the temperature dependence of conductibility are observed in the CdS films annealed at different temperatures. The Hall measurements allow calculating the values of the NA , N D , n ex and ED . According to Hall measurements the CdS films show several donor levels at different energetic depths in dependence of the annealing temperature. The sample annealed at high temperatures than 350oC proves to be compensated with a sharply decreasing electrical conductivity with the temperature decrease.
FABRICAREA STRUCTURILOR SnO2/CdTe/ZnO ŞI CERCETAREA PROPRIETĂŢILOR ACESTORA
(CEP USM, 2020) Lungu, Ion; Colibaba, Gleb; Potlog, Tamara
FIZICA HETEROSTRUCTURILOR CdS/ZnTe ÎN APLICAȚII FOTOVOLTAICE
(2024) Lungu, Ion; Potlog, Tamara
Analiza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe. Conceperea designului optimal al dispozitivului fotovoltaic în baza heterojoncțiunii CdS/ZnTe din punct de vedere al eficienței de conversie a energiei solare în energie electrică prin simularea numerică cu softul SCAPS-1D. Elaborarea tehnologiei de obținere a straturilor subțiri ZnO, CdS, ZnTe prin: dirijarea condițiilor tehnologice, dopare, modificarea controlată a morfologiei, proprietăților cristaline, electrice si optice. Realizarea dispozitivelor fotovoltaice în baza compușilor studiați, cercetarea proprietăților fotoelectrice și stabilirea mecanismului de transport al purtătorilor de sarcină electrică.
FORMAREA STĂRII EXCITATE TRIPLET ÎN STRATURILE SUBȚIRI DOPATE CU Ga SINTETIZATE DIN SOLUȚIE
(CEP USM, 2020) Rusnac, Dumitru; Lungu, Ion; Potlog, Tamara
INFLUENCE OF RF SPUTTERING POWER AND THICKNESS ON STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF NiO THIN FILMS
(IOP Publishing Ltd, 2019) Potlog, Tamara; Ghimpu, L.; Suman, V.; Pantazi, A.; Enachescu, M.
NiO thin films were deposited by RF magnetron sputtering method under 3–4 sccm O2 (99.99%) in the O2/Ar + O2 flow rate at 450 °C substrate temperature at different RF powers and different thicknesses. The structural properties of NiO thin films were investigated using atomic force microscopy (AFM), x-ray diffraction (XRD) and x-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). The optical properties were studied by UV–vis spectroscopy and photoluminescence (PL) at room temperature. AFM studies show that the roughness parameters of the NiO surfaces are influenced by the film thickness and sputtering RF power. The XRD results revealed that as-prepared NiO films are polycrystalline and developed [111] preferred orientation. XPS study confirmed the presence of Ni2+ and Ni3+ ions in the NiO films. In the case of varying the thickness of the films at 210 W RF power, the optical band gap (Eg) values are 3.48 eV for 150 nm and 200 nm. For NiO films with 250 nm, 300 nm and 350 nm thicknesses, the Eg vary between 3.43 and 3.45 eV. PL spectra of the NiO thin films show bands emission in UV–vis region, which are affected by RF sputtering power.