Browsing by Author "Inculeț, Ion"

Now showing 1 - 5 of 5

CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP
(CEP USM, 2015) Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Inculeț, Ion; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion
Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fărăstrat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predominăprocesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predominăprocesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISCpânăla 28,2 mA•cm-2, UCDpânăla 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei pânăla 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm.
CELULE SOLARE CU HOMOJONCIUNE DIN FOSFURĂ DE INDIU
(CEP USM, 2013) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Inculeț, Ion; Raevschi, Simion
Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescutcu două ordine,iar eficienţa CS este de 12% pentru homo structura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.
EFFECTS OF IMPURITY BAND IN HEAVILY DOPED ZnO:HCl
(Elsevier, 2019) Colibaba, Gleb; Avdonin, A.; Shtepliuk, I.; Caraman, Mihail; Domagała, J.; Inculeț, Ion
A comparative study of properties of ZnO:HCl single crystals obtained by various methods is presented. Characterization by photoluminescence, optical and electrical measurements in the wide temperature range has allowed to analyze the energy spectra of Cl-containing stable defects in ZnO. Presence of shallow Cl donors, deeper donor complexes, incorporating several Cl atoms or stable H-Cl pairs and presence of compensating deep acceptors, attributed to VZnClO centers, are demonstrated. The presence of shallow donor impurity band, as well as strong dependence of its activation energy on the doping level is shown. The controversy of various models for estimation of this dependence is discussed. It is demonstrated, that 90% of this dependence is caused by feature of temperature dependence of Hall coefficient related to conductive impurity band, and a more correct equation for activation energy is suggested. An abnormally low efficiency of neutral impurity scattering of charge carriers and strong optical absorption in the near-IR spectral range are demonstrated and attributed to upper conductive impurity band of negatively charged donors with an extra electron.
PHOTOELECTRICAL PARAMETERS OF nCdS–pCdTe THIN-FILM SOLAR CELLS WITH A CdO BUFFER LAYER
(2016) Gașin, Petru; Gargara, Ludmila; Chetruș, Petru; Inculeț, Ion; Fiodorov, Vladimir; Qassem, Amjad-Al
The results of the studies of the effect of a CdO buffer layer on the photoelectrical parameters of CdS–CdTe solar cells have been described. It has been found that the formation of a 5–8 nm thick CdO buffer layer leads to an increase in the CdS–CdTe solar cell open circuit voltage (Voc) by 90–140 mV, short circuit current (Isc) by 1.4–3.2 mA/cm2, and efficiency by 2.8–4.1% at 300 K and an illumination of 100 mW/cm2.
STRATURI NANOMETRICE DE STANAT DE CADMIU PENTRU CELULE FOTOVOLTAICE
(CEP USM, 2014) Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Covali, Andrei; Cinic, Boris; Chetruș, Petru; Inculeț, Ion
Obiectivele acestei lucrări rezidă în stabilirea condiţiilor tehnologice optime de depunere a straturilor de stanat de cadmiu (Cd2SnO4) prin metoda pulverizării pe substraturi de sticlă şi de fosfură de indiu (InP) şi în studierea proprietăţilor elecrtofizice şi optice ale acestora. Straturile de stanat de cadmiu au fost depuse într-un flux de oxigen, din clorurăde cadmiu (CdCl2·2,5H2O)şi clorură de staniu (SnCl4·5H2O), dizolvate în alcool etilic cu molaritatea de (0,1-0,3)M, în intervalul de temperaturi (250...450)°C. Au fost cercetate proprietăţile electrofizice ale straturilor în dependentă de raportul componentelor CdCl2·2.5H2O şi SnCl 4·5H2O în soluţiile folosite la pulverizare şi de temperaturile de depunere. Studiul propriet ăţilor optice ale acestor materiale demonstrează că ele sunt transparente înintervalul 250....1300) nm. A fost demonstrată posibilitatea de creştere a oxizilor Cd2SnO4 prin etoda pulverizării şi de folosire a acestora ca straturi intermediare la structurile fotovoltaice pInP-nCdS.