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    Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-ZnSe :Zn irradies avec des electrons energetiques [Articol]
    (Université Mentouri, 2007) Djouadi, D.; Boughiden, B.; Chelouche, A.; Nedeoglo, Dmitrii
    Dans l’intervalle de températures [77..300 K] a été mesurée la mobilité de Hall des électrons d’équilibre et des photoélectrons dans les cristaux de n-ZnSe :Zn irradiés avec un faisceau d’électrons d’énergie E=1,3 MeV et dont la dose d’irradiation varie entre 2,73 1016 et 5.19 1017 électrons/cm2 . Le comportement de la mobilité des photoélectrons s’explique parfaitement dans le cadre d’un modèle à deux-barrières d’un semiconducteur inhomogène représentant une matrice faiblement ohmique contenant des inclusions fortement ohmiques (clusters). En se basant sur les théories de Shik et de Petrossiyan , une expression approximative de la mobilité de Hall a été obtenue. Il a été montré que ce modèle fonctionne parfaitement pour les petites doses d’irradiation. Lorsque la dose dépasse une certaine valeur critique ( D= 2.98 1017 électrons /cm2) le modèle considéré passe au modèle du potentiel à relief aléatoire.