Browsing by Author "Dicusar, Alexandr"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    EFECTE DIMENSIONALE ALE VITEZEI DE COROZIUNE ÎN OBȚINEREA ELECTROCHIMICĂ A NANOMATERIALELOR
    (2023) Mîrzac, Viorica; Dicusar, Alexandr
    Scopul lucrării a constatat în studiul efectului dimensional al vitezei de coroziune în obținerea ansamblului de nanofire de cupru în baza cercetării coroziunii microelectrozilor în electrolitul pirofosfat și în soluții care modelează mediul coroziv, cercetarea coroziunii acoperirilor nanocristaline ale fierului cu wolframul, obținute în condițiile „codepunerii induse” din electrolitul citrat și a efectului dimensional macroscopic al vitezei de coroziune a aliajului Fe-W.
  • Thumbnail Image
    Item
    Thin Films of Titanium and Tin Oxides and Semiconductor Structures on Their Basis Obtained by Pyrolytic Pulverization: Preparation, Characterization, and Corrosion Properties [Articol]
    (2007) Bersirova, Oxana; Bruc, Leonid; Dicusar, Alexandr; Caraman, Mihail; Sidelinicova, Svetlana; Simașchevici, Alexei; Șerban, Dormidont; Iaponteva, Iu.
    Peculiarities of obtaining of tin oxide and titanium oxide layers and semiconductor structures on their basis are described. The X-ray diffraction data show that the SnO2 and TiO 2 layers possess the tetragonal crystal structure (anatase modification for TiO2). The results of analysis of the elemental composition and impedance investigations of the fabricated structures in model chloride–sulfate solutions demonstrate that the oxide/SiO2/Si structures are obtained if Si substrates are used. In the case of InP substrates, the oxide layer at the interface is not detected and the corresponding structure is oxide/InP. The results of investigations of corro- sion show that a substantial shift of the corrosion potential to the anode region is observed in the case of depo- sition of SnO2 and TiO2 oxide layers on Si and InP crystals and fabrication of corresponding semiconductor structures. This demonstrates the possibility of the use of these materials in photoelectrochemical applications.