Browsing by Author "Уракова, Ф.Э."

Now showing 1 - 3 of 3

Кремний с бинарными соединениями GexSi1-x
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Наркулов, Н.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Неъматов, О.С.
Приводятся результаты исследований электрофизических, фотоэлектрических и магнитных свойств образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами германия. Показано, что примесные атомы германия в кремнии образуют бинарные соединения типа GexSi1-x, концентрация которых меняется с глубиной исходного кремния. Разработанная диффузионная технология легирования кремния примесными атомами германия позволила получить материал с различными концентрациями примесных атомов германия с удельным сопротивлением и типом проводимости. Определены оптимальные электрофизические параметры и магнитные свойства полученных образцов, что позволило показать возможности создания новых видов датчиков и приборов в полупроводниковой электронике, Проведенные исследования позволяют развивать соответствующее направление в области материаловедения с магнитными свойствами и создавать эффективные фотоэлементы в фотоэнергетике.
Ферромагнитные свойства кремния, легированного атомами марганца
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Ковешников, С.В.; Трабзон, Левент; Мавлонов, Г.Х.; Исмайлов, Б.К.; Исмаилов, Т.Б.; Уракова, Ф.Э.
Исследование ферромагнитных свойства кремния, диффузионно-легированного примесными атомами марганца, дает возможность определения магнитных свойств этого материала. В зависимости от технологии получения таких образцов марганец может находиться преимущественно в узлах или междоузлиях кристаллической решетки кремния. Установлено, что наблюдaeмые ферромагнитные свойства кремния в основном связаны с концентрацией дырок и обменным взаимодействием дырок в кремнии. Показано, что d-оболочка атомов марганца заполняется электронами, которые приводят к появлению магнитного свойства кремния, легированного атомами марганца. Из анализа результатов исследования установлено, что можно получить магнитный материал с ферромагнитными свойствами на основе кремния, легированного примесными атомами марганца, который можно широко применять при создании спинтронных устройств в магнитоэлектронике.
Фотоэлементы на основе кремния с бинарными соединениями GexSi1-x
(2024) Зикриллаев, Н.Ф.; Зикриллаев, Х.Ф.; Уракова, Ф.Э.; Кушиев, Г.А.; Саитов, Э.Б.; Шукурова, Д.М.; Ибрагимова, Б.Х.
Приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств кремния с бинарными соединениями GexSi1-x. Определены термодинамические условия (Т = 1100÷1250 °С и t = 5÷20 ч) и технологические режимы низкотемпературной двухэтапной диффузии примесных атомов германия, которые позволили получить материал с бинарными соединениями GexSi1-x на поверхности и в приповерхностном слое кремния с заданными электрофизическими параметрами. Из результатов исследования концентрационного распределения образованных бинарных соединений GexSi1-x в кремнии установлено, что на поверхности формируются соединения с максимальной концентрацией и с углублением в объем кремния их концентрация уменьшается. Установлено, что образованные соединения GexSi1-x в кремнии приводят к изменению ширины запрещенной зоны исходного материала. Показано, что изменение ширины запрещенной зоны исходного кремния за счет образования бинарных соединений GexSi1-x изменяет один из фундаментальных параметров материала, который, в свою очередь, приводит к расширению спектральной области чувствительности, что характерно при разработке эффективных фотоэлементов с широким диапазоном поглощения солнечного излучения.