Browsing by Author "Коршак, Олег"

Now showing 1 - 12 of 12

Mетодика получения тонкопленочныхструктур системы As-Se-S на протяженные гибкие основы и исследованиe их электрофизических и оптических свойств [Articol]
(CEP USM, 2015) Кирица, Аркади; Прилепов, Владимир; Коршак, Олег; Наседкина, Надежда; Жидков, Юрий; Чорный, Алексей
A fost elaborată tehnologia de obţinere a structurilor pe baza peliculelor subţiri din semiconductori As-Se-S şi cercetate proprietăţile electrofizice şi optice ale structurilor obţinute.
Интерференционное растрирование носителей для регистрации оптической информации на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников [Articol]
(CEP USM, 2009) Жидков, Юрий; Коршак, Олег; Припелов, Владимир; Нямцу, Севастьян; Кирица, Аркадий; ;
În prezenta lucrare este studiată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici în baza de semiconductori halogenici sticloşi prin metoda rastării interferenţiale. Este demonstrată posibilitatea înregistrării reţelelor interferenţiale şi a hologramelor la interferenţă în procesul înregistrării concomitente a acestora.
Испарение халькогенидных стеклообразных полупроводников при пузырьковом механизме разогрева материала в испарителе [Articol]
(CEP USM, 2007) Прилепов, Владимир; Нямцу, Севастьян; Коршак, Олег; Споялэ, Дорин
Se descrie procesul formării vaporilor la evaporarea prin bule a materialelor semiconductoare. Micşorarea energiei libere a suprafeţei evaporatorului stabilizează centrele de formare a bulelor, ceea ce duce la stabilizarea vitezei de evaporare a semiconductoarelor vitrefice de pe toată suprafaţa evaporatorului.
К вопросу о стабильности полимерных термопластических слоёв и двухслойных фототермопластических носителей при записи в коронном разряде [Articol]
(CEP USM, 2013-09-26) Робу, Штефан; Наседкина, Надежда; Мешалкин, А.Ю.; Андриеш, Ион; Коршак, Олег; Кирица, Аркадий
Определение размеров непрозрачных микрообъектов голографическим методом [Articol]
(CEP USM, 2013) Кирица, Аркади; Караман, Михаил; Коршак, Олег; Андриеш, Ион; Прилепов, Владимир; Наседкина, Надежда; Жидков, Юрий;
Pe baza semiconductorilor calcogenici sticloşi au fost obţinuţi purtători fototermoplastici cu o sensibilitate holografică de până la 7·106 cm2 /J. Au fost studiate procesele de înregistrare a reţelelor holografice pe purtători în timp real. Se demonstrează posibilitatea de a le utiliza pentru măsurarea dimensiunilor microobiectelor netransparente prin metoda de rasterizare de interferenţă. Este dat un calcul detaliat al parametrilor instalaţiei optice
Определение размеров непрозрачных микрообъектов голографическими методами [Articol]
(CEP USM, 2012) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Андриеш, Ион; Наседкина, Надежда; Чорный, Алексей
Pe baza semiconductorilor calcogenici sticloşi au fost obţinuţi purtători fototermoplastici cu o sensibilitate holografică de până la 7·106 cm2/J. Au fost studiate procesele de înregistrare a reţelelor holografice pe purtători în timp real. Se demonstrează posibilitatea utilizării acestora pentru măsurarea dimensiunilor microobiectelor netransparente prin metoda rastrării interferenţiale. Este dat un calcul detaliat al parametrilor instalaţiei optice.
Поляризационные свойства рельефно-фазовых голограмм, зарегистрированных на фототермопластическом носителе [Articol]
(CEP USM, 2007) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Ротару, Василе
În lucrare sunt cercetate proprietăţile de polarizare ale purtătorului fototermoplastic în bază flexibilă tereflalat etilenic, cu un strat sensibil la lumină din semiconductor halcogenic sticlos As2Se3(0.5)-As2S3(0.5)şi termoplastic în bază de poliexopropilcarbazol. Sunt studiate proprietăţile de polarizare ale reţelelor interferometrice şi ale hologramelor de fază-relief înregistrate pe purtătorii fototermoplastici.
Применение фототермопластических носителей для регистрации голограмм микрообъектов [Articol]
(CEP USM, 2008) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Споялэ, Дорин; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда;
În lucrare sunt cercetate posibilităţile utilizării purtătorului fototermoplastic cu stratul fotosensibil din semiconductorhalcogenic sticlos în baza sistemului As-Se S-Sn şi termoplastic în bază de poliepoxipropilcarbazol pentru înregistrarea hologramelor vaporilor condensaţi ai lichidului. Sunt studiate procesele de înregistrare a hologramelor de fază-relief alemicroobiectelor transparente în formă de micropicături condensate ale vaporilor de apă.
Увеличение кратности фотоответа в структурах аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов [Articol]
(CEP USM, 2009) Прилепов, Владимир; Гашин, Петр; Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Споялэ, Дорин; Наседкина, Надежда
În lucrare sunt prezentate particularităţile tehnologice de obţinere a structurilor dispersate pe bază de vanadiu, inclusiv având suprafaţa ramificată (fractală). A fost stabilit că la depunerea peliculelor amorfe As4Se3S3 pe suprafeţe fractale, multiplicitatea fotocurentului pentru această strucutură se măreşte.
Увеличение чувствительности фототермопластических носителей при дополнительной засветке интегральным и монохроматическим излучением [Articol]
(CEP USM, 2013) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Наседкина, Надежда; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Черный, Алексей
Este cercetată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici pe baza semiconductorilor halcogenici sticloşi. A fost demonstrată posibilitatea înregistrării imaginilor de interferenţă şi a hologramelor într-un proces simultiv de înregistrare.
Фототермопластические структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для регистрации рельефно-фазовых голограмм в реальном масштабе времени [Articol]
(CEP USM, 2012) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда; Робу, Штефан; Чорный, Алексей
A fost investigată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi prin metoda rastrării interferenţiale. A fost demonstrată posibilitatea înregistrării simultane a reţelelor interferenţiale şi a hologramelor.
Численный анализ спектральной фотопроводимости варизонной структуры [Articol]
(CEP USM, 2008) Андриеш, Иван; Коршак, Олег; Кирица, Аркадий; Нямцу, Севастьян
A fost dezvoltat un model matematic semifenomenologic al fotoconductivităţii în straturile subţiri (As2Se3)с(As2S3)1- сcu structură varizonică. Pe baza modelului a fost realizată analiza numerică a dependenţei spectrale a fotoconductivităţii în funcţie de caracteristicile de absorbţie şi de grosimea straturilor.