Browsing by Author "Колос, В.В."

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Радиационно-индуцированные процессы в облученных электронами пленках негативного фенолформальдегидного фоторезиста на кремнии
    (2024) Бринкевич, Д.И.; Гринюк, Е.В.; Бринкевич, С.Д.; Просолович, В.С.; Янковский, Ю.Н.; Колос, В.В.; Зубова, О.А.; Ластовский, С.Б.
    Установлено, что радиационно-индуцированные процессы в пленках негативного фоторезиста NFR 016D при дозах до 2×1015 см-2 протекают в основном при участии молекул остаточного растворителя либо на побочных продуктах синтеза фоторезистивной пленки. После облучения в спектрах нарушенного полного внутреннего отражения фоторезиста исчезают полосы поглощения с максимумами при 1717 (валентные колебания C=O связей), 1068 и 1009 см-1 (колебания C-O-C связи в растворителе метил-3-метоксипропилате). При дозах облучения свыше 1×1016 см-2 наблюдались существенные изменения в интенсивности полос, связанных с основным компонентом фоторезиста (фенолформальдегидной смолой). Заметная трансформация спектра происходит в области 1550–1700 см-1, в которой наблюдаются валентные колебания С=О связей. При дозах облучения свыше 2×1016 см-2 снижаются интенсивности полос, обусловленных валентными колебаниями СН2 и СН групп (полосы с максимумами при 2925 и 3012 см-1, соответственно). Экспериментальные результаты указывают на изменение состава заместителей у углеродного кольца и образование сопряженных двойных С=О связей при облучении фоторезистивной пленки дозами электронов свыше 2×1016 см-2.