Browsing by Author "Караман, Михаил"

Now showing 1 - 3 of 3

Определение размеров непрозрачных микрообъектов голографическим методом [Articol]
(CEP USM, 2013) Кирица, Аркади; Караман, Михаил; Коршак, Олег; Андриеш, Ион; Прилепов, Владимир; Наседкина, Надежда; Жидков, Юрий;
Pe baza semiconductorilor calcogenici sticloşi au fost obţinuţi purtători fototermoplastici cu o sensibilitate holografică de până la 7·106 cm2 /J. Au fost studiate procesele de înregistrare a reţelelor holografice pe purtători în timp real. Se demonstrează posibilitatea de a le utiliza pentru măsurarea dimensiunilor microobiectelor netransparente prin metoda de rasterizare de interferenţă. Este dat un calcul detaliat al parametrilor instalaţiei optice
Тонкие пленки оксидов титана и олова и полупроводниковые структуры на их основе, полученные пиролитической пульверизацией: изготовление, характеризация и коррозионные свойства [Articol]
(2007) Берсирова, Оксана; Брук, Леонид; Дикусар, Александр; Караман, Михаил; Сидельникова, Светлана; Симашкевич, Алексей; Шербан, Дормидонт; Японцева, Юлия
The peculiarities of obtaining of tin and titanium oxide layers and semiconductor structures on their basis are described. The Roentgen diffraction results show that SnO 2 and TiO2 layers possess crystalline tetragonal structure (anatas modification for TiO2).The results of element composition analysis and impedance investigations of the fabricated structures in the model chloride-sulfate solutions demonstrate that oxide/ SiO2 /Si structures are obtained when Si substrates are used. In the case of InP substrates the oxide layer at the interface is not detected and the respective structure is oxide/InP. The results of corrosive inves- tigations show that essential displacement of the corrosive potential to the anode region is observed in the case of deposition of SnO2 and TiO2 oxide layers on Si and InP crystals and fabrication of respective semi- conductor structures. This fact demonstrates the availability of the utilization of these materials in photoelec- trochemical applications.
Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности [Articol]
(2016) Симашкевич, Алексей; Шербан, Дормидонт; Караман, Михаил; Русу, Марин; Брук, Леонид; Курмей, Николай
Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразовате- лей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхно- стью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.