Browsing by Author "Исакова, Калина"

Now showing 1 - 5 of 5

Исследование кулоновского взаимодействия в квантовой точке Si/SiO2 [Articol]
(CEP USM, 2007) Исакова, Калина; Ника, Денис; Аскеров, Артур; Зинченко, Надежда; Покатилов, Евгений
În lucrare sunt prezentate cercetările distribuţiei potenţialului în punctul cuantic din Si plasat în mediu dielectric SiO2. Au fost cercetate dependenţele distribuţiei potenţialului de mărimea razei sferei din Si. Au fost comparate distribuţiile potenţialului pentru diferite permitivităţi electrice ale sferei.
Падение фононной теплопроводности в сегментированных Si/Ge нанонитях [Articol]
(CEP USM, 2015) Исакова, Калина
Выполнены теоретические исследования фононного теплового потока в Si/Ge сегментированных нанонитях .Энергетический спектр фононов был рассчитан в рамках модели молекулярной динамики колебаний решетки “face-centered cubic cell”. Решеточная теплопроводность была рассчитана с помощью транспортного уравнения Больмана . Рост локализации фононов , обусловленный перестройкой энергетического спектра , приводит к существенному падению решеточной теплопроводности в сегментированных нанонитях по сравнению с обычными нанонитями Этот эффект связан с исключением из теплового транспорта захваченных фононных мод.Как следствие ,прогнозируется падение фононного теплового потока в широком диапазоне температур для сегментированных нанонитей . Полученные результаты показывают , что сегментированные нанонити являются перспективными для термоэлектрических применений.
Фонoнная инженерия в одномерных наноструктурах [Articol]
(CEP USM, 2022-11-10) Исакова, Калина; Кочемасов, Александр; Ника, Денис
Экситонные состояния в квантовых точках Si/SiO2 [Articol]
(CEP USM, 2008) Исакова, Калина; Ника, Денис; Покатилов, Евгений
În lucrare este dezvoltată teoria stărilor electronice, de gol şi excitonice pentru punctul cuantic din Si, plasat în mediuldielectric. A fost cercetată dependenţa pătrunderii în mediul dielectric de înălţimea barierei potenţiale şi a fost demonstratcă nanostructurile de acest tip pot fi utilizate cu succes în optoelectronică şi biomedicină. De asemenea, a fost studiatădependenţa energiei de legătură a excitonului de înălţimea barierei potenţiale.
Электронные, дырочные и экситонные состояния в кремниевых квантовых точках, помещенных в диэлектрическую среду оксида кремния [Articol]
(CEP USM, 2011) Исакова, Калина
În ultimii câţiva ani o atenţie sporită se acordă studiului proprietăţilor fizice ale structurilor semiconductoare cu dimensiuni reduse datorită perspectivelor de utilizare a lor în diverse domenii. În prezenta lucrare se cercetează proprietăţile excitonice ale punctelor cuantice din siliciu, amplasate într-un mediu dielectric. În cadrul aproximaţiei masei efective au fost calculate nivelele energetice electronice şi de gol utilizând teoria nevariaţională. Rezultatele obţinute se află întrun acord bun ce datele experimentale.