Browsing by Author "Жидков, Юрий"
Now showing 1 - 7 of 7
- Results Per Page
- Sort Options
Item Mетодика получения тонкопленочныхструктур системы As-Se-S на протяженные гибкие основы и исследованиe их электрофизических и оптических свойств [Articol](CEP USM, 2015) Кирица, Аркади; Прилепов, Владимир; Коршак, Олег; Наседкина, Надежда; Жидков, Юрий; Чорный, АлексейA fost elaborată tehnologia de obţinere a structurilor pe baza peliculelor subţiri din semiconductori As-Se-S şi cercetate proprietăţile electrofizice şi optice ale structurilor obţinute.Item Интерференционное растрирование носителей для регистрации оптической информации на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников [Articol](CEP USM, 2009) Жидков, Юрий; Коршак, Олег; Припелов, Владимир; Нямцу, Севастьян; Кирица, Аркадий; ;În prezenta lucrare este studiată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici în baza de semiconductori halogenici sticloşi prin metoda rastării interferenţiale. Este demonstrată posibilitatea înregistrării reţelelor interferenţiale şi a hologramelor la interferenţă în procesul înregistrării concomitente a acestora.Item Определение размеров непрозрачных микрообъектов голографическим методом [Articol](CEP USM, 2013) Кирица, Аркади; Караман, Михаил; Коршак, Олег; Андриеш, Ион; Прилепов, Владимир; Наседкина, Надежда; Жидков, Юрий;Pe baza semiconductorilor calcogenici sticloşi au fost obţinuţi purtători fototermoplastici cu o sensibilitate holografică de până la 7·106 cm2 /J. Au fost studiate procesele de înregistrare a reţelelor holografice pe purtători în timp real. Se demonstrează posibilitatea de a le utiliza pentru măsurarea dimensiunilor microobiectelor netransparente prin metoda de rasterizare de interferenţă. Este dat un calcul detaliat al parametrilor instalaţiei opticeItem Определение размеров непрозрачных микрообъектов голографическими методами [Articol](CEP USM, 2012) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Андриеш, Ион; Наседкина, Надежда; Чорный, АлексейPe baza semiconductorilor calcogenici sticloşi au fost obţinuţi purtători fototermoplastici cu o sensibilitate holografică de până la 7·106 cm2/J. Au fost studiate procesele de înregistrare a reţelelor holografice pe purtători în timp real. Se demonstrează posibilitatea utilizării acestora pentru măsurarea dimensiunilor microobiectelor netransparente prin metoda rastrării interferenţiale. Este dat un calcul detaliat al parametrilor instalaţiei optice.Item Применение фототермопластических носителей для регистрации голограмм микрообъектов [Articol](CEP USM, 2008) Кирица, Аркадий; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Споялэ, Дорин; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда;În lucrare sunt cercetate posibilităţile utilizării purtătorului fototermoplastic cu stratul fotosensibil din semiconductorhalcogenic sticlos în baza sistemului As-Se S-Sn şi termoplastic în bază de poliepoxipropilcarbazol pentru înregistrarea hologramelor vaporilor condensaţi ai lichidului. Sunt studiate procesele de înregistrare a hologramelor de fază-relief alemicroobiectelor transparente în formă de micropicături condensate ale vaporilor de apă.Item Увеличение чувствительности фототермопластических носителей при дополнительной засветке интегральным и монохроматическим излучением [Articol](CEP USM, 2013) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Наседкина, Надежда; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Черный, АлексейEste cercetată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici pe baza semiconductorilor halcogenici sticloşi. A fost demonstrată posibilitatea înregistrării imaginilor de interferenţă şi a hologramelor într-un proces simultiv de înregistrare.Item Фототермопластические структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для регистрации рельефно-фазовых голограмм в реальном масштабе времени [Articol](CEP USM, 2012) Кирица, Аркади; Коршак, Олег; Прилепов, Владимир; Жидков, Юрий; Наседкина, Надежда; Робу, Штефан; Чорный, АлексейA fost investigată posibilitatea înregistrării informaţiei optice pe purtători fototermoplastici pe bază de semiconductori calcogenici sticloşi prin metoda rastrării interferenţiale. A fost demonstrată posibilitatea înregistrării simultane a reţelelor interferenţiale şi a hologramelor.