Browsing by Author "Дикусар, Александр"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Состав, структура, износостойкость поверхностных наноструктур, получаемых при электроискровом легировании стали 65 Г [Articol]
    (2023) Юрченко, Е.; Гилецкий, Георгe; Ватаву, Сергей; Петренко, В.; Харя, Диана; Бубулинкэ, К.; Дикусар, Александр
    Сочетанием рентгенофазового и рентгенофлуоресцентного анализа показано, что образую- щийся при электроискровом легировании стали 65Г обрабатывающим электродом из твердого сплава Т15К6 упрочненный слой представляет собой нанокристаллический материал, соотно- шение кристаллической и аморфной фаз в котором достигается изменением энергии разряда. Поскольку увеличение энергии разряда приводит к росту шероховатости поверхности и ее аморфизации, существует оптимальное значение энергии разряда, при котором достигается максимальная износостойкость получаемых нанокомпозитов. При Е = 0,2 Дж износостойкость упрочненного слоя в 7–10 раз превышает износостойкость необработанной поверхности.
  • Thumbnail Image
    Item
    Тонкие пленки оксидов титана и олова и полупроводниковые структуры на их основе, полученные пиролитической пульверизацией: изготовление, характеризация и коррозионные свойства [Articol]
    (2007) Берсирова, Оксана; Брук, Леонид; Дикусар, Александр; Караман, Михаил; Сидельникова, Светлана; Симашкевич, Алексей; Шербан, Дормидонт; Японцева, Юлия
    The peculiarities of obtaining of tin and titanium oxide layers and semiconductor structures on their basis are described. The Roentgen diffraction results show that SnO 2 and TiO2 layers possess crystalline tetragonal structure (anatas modification for TiO2).The results of element composition analysis and impedance investigations of the fabricated structures in the model chloride-sulfate solutions demonstrate that oxide/ SiO2 /Si structures are obtained when Si substrates are used. In the case of InP substrates the oxide layer at the interface is not detected and the respective structure is oxide/InP. The results of corrosive inves- tigations show that essential displacement of the corrosive potential to the anode region is observed in the case of deposition of SnO2 and TiO2 oxide layers on Si and InP crystals and fabrication of respective semi- conductor structures. This fact demonstrates the availability of the utilization of these materials in photoelec- trochemical applications.