Browsing by Author "Дашдемиров, А.О."

Now showing 1 - 2 of 2

Диэлектрические свойства слоистых монокристаллов MnGaInSe4 в переменном электрическом поле
(2023) Нифтиев, Н.Н.; Дашдемиров, А.О.; Мамедов, Ф.М.; Мурадов, М.Б.
Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь, действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости в монокристаллах MnGaInSe4 в переменном электрическом поле. Установлено, что основным видом диэлектрических потерь в монокристаллах MnGaInSe4 в области частот 8×103 – 3×105 Гц являются потери на электропроводность, а проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Определены энергии активации носителей тока монокристаллов. Установлено, что действительная и мнимая части диэлектрической проницаемости претерпевали значительную дисперсию, носящую релаксационный характер.
Электрические свойства FeGa0,4In1,6Se4 на переменном токе
(2024) Нифтиев, Н.Н.; Дашдемиров, А.О.; Мамедов, Ф.М.; Агаева, Р.М.
Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa0,4In1,6Se4 на переменном токе. В кристалле FeGa0,4In1,6Se4 нормальная дисперсия возникает в диапазоне частот 2·102 ÷ 104 Гц, а распределение дефектов по времени жизни подчиняется закону n(τ) ~ τ−1,75. С повышением температуры причиной увеличения значения действительной части диэлектрической проницаемости является возрастание концентрации дефектов. Наблюдаемое в эксперименте монотонное уменьшение мнимой части диэлектрической проницаемости в зависимости от частоты свидетельствует о наличии релаксационной дисперсии в кристалле FeGa0,4In1,6Se4. Установлено, что в температурном интервале 294,5 ÷ 3343 K при частотах 2·102 ÷ 106 Гц для электропроводности выполняется закономерность σ ~ fS (0,1 ≤ S ≤ 1,0). Показано, что проводимость в этих кристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Из зависимостей определены энергии активации.