Browsing by Author "Брук, Леонид"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Температурная зависимость спектров фотолюминесценции кристаллов ZnS [Articol]
    (CEP USM, 2007) Коротков, Виталий; Соболевская, Раиса; Брук, Леонид; Сушкевич, Константин
    A fost cercetată dependenţa de temperatură a spectrelor de fotoluminescenţă ale cristalelor de ZnS nedopate, tratate termic în topitură de Bi şi dopate cu Al din topitur ăde Bi. În diferite regiuni de temperatură a fost observată iradierea luminescentă cu caracter intracentru a ionilor de mangan. Se presupune că iradierea luminescentă a centrelor de mangan este cauzată de reconstruirea reţelei cristaline în timpul tratărilor termice. În calitate de centre de sensibilizare la excitarea prin rezonanţă a ionilor de mangan servesc centrele în baza aluminiului şi defectelor native sau centrele MnZn2+.
  • Thumbnail Image
    Item
    Тонкие пленки оксидов титана и олова и полупроводниковые структуры на их основе, полученные пиролитической пульверизацией: изготовление, характеризация и коррозионные свойства [Articol]
    (2007) Берсирова, Оксана; Брук, Леонид; Дикусар, Александр; Караман, Михаил; Сидельникова, Светлана; Симашкевич, Алексей; Шербан, Дормидонт; Японцева, Юлия
    The peculiarities of obtaining of tin and titanium oxide layers and semiconductor structures on their basis are described. The Roentgen diffraction results show that SnO 2 and TiO2 layers possess crystalline tetragonal structure (anatas modification for TiO2).The results of element composition analysis and impedance investigations of the fabricated structures in the model chloride-sulfate solutions demonstrate that oxide/ SiO2 /Si structures are obtained when Si substrates are used. In the case of InP substrates the oxide layer at the interface is not detected and the respective structure is oxide/InP. The results of corrosive inves- tigations show that essential displacement of the corrosive potential to the anode region is observed in the case of deposition of SnO2 and TiO2 oxide layers on Si and InP crystals and fabrication of respective semi- conductor structures. This fact demonstrates the availability of the utilization of these materials in photoelec- trochemical applications.
  • Thumbnail Image
    Item
    Фотовольтаические структуры ITO/SiOх/n-Si повышенной эффективности [Articol]
    (2016) Симашкевич, Алексей; Шербан, Дормидонт; Караман, Михаил; Русу, Марин; Брук, Леонид; Курмей, Николай
    Изготовлены структуры ITO/SiOх/n-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразовате- лей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхно- стью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiOх/n-Si c инверсным слоем демонстрируют в условиях АМ 1,5 эффективность, близкую к 16%.