Browsing by Author "Аль-Кассем, Амджад"

Now showing 1 - 2 of 2

Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Rezumat]
(2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)
Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объѐма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).
Исследование физических процессов в фоточувствительных гетероструктурах на основе тонких слоев CdTe [Teză]
(2025) Аль-Кассем, Амджад; Гашин, П. А (научный руководитель); Акимова, Е. А (научный руководитель)
Цель работы: разработка методики получения и исследование тонкопленочных СЭ на основе гетероперехода (ГП) CdS/CdTe с диэлектрическим слоем CdO, нанометрической толщины. На основании исследований электрических и фотоэлектрических измерений, определить оптимальные технологические условия для изготовления тонкопленочной гетероструктуры CdS/CdO/CdTe методом квазизамкнутого объёма. Задачи исследования: изучить особенности эпитаксии методом CSS полупроводниковых соединений группы А2В6 и разработать способы оптимизации режимов получения тонких пленок CdS, CdTe; разработать технологию создания изолирующего нанослоя CdO на границе разделаCdS/CdTe; исследовать электрическиe свойства ГП CdS/CdTe и CdS/CdO/CdTe, используя комплексный подход, включающий анализ ВФХ, ВАХ и адмиттанс-спектроскопию при различных температурах и частотах переменного сигнала; изучить влиянии изолирующего нанослоя CdO на фотоэлектрические параметры СЭ CdS/CdTe. Научная новизна и оригинальность работы состоит в систематическом исследовании влияния нанометрического слоя CdO на фотоэлектрические параметры, профили концентрации носителей заряда и энергии ионизации примесных уровней полученных гетероструктур методами ВФХ, ВАХ и адмиттансной спектроскопии. Решенная важная научная проблема заключается в том, что впервые проведен широкий комплекс электрическиx исследований ГП CdS/CdTe и продемонстрированo, что одним из методов увеличения концентрации свободных дырок для ионизации дефектов (увеличения концентрации собственных акцепторных дефектов вакансии кадмия, VCd), является внедрение изолирующего нанослоя CdO на границе раздела CdS/CdTe ГП фотопреобразователей. Внедрение изолирующего нанослоя CdO, толщиной 8-10 нм, методом магнетронного распыления между фронтальным CdS и поглощаемым CdTe слоями повышает ток короткого замыкания с 15,7 мА/см2 до 26,5 мА/см2 и напряжение холостого хода с 0,66 В до 0,77 В, увеличивая коэффициент полезного действия с 3,8 % до 8,9 %. Теоретическая значимость работы состоит в установлении механизма токопрохождения в ГП CdS/CdTe, контролируемого двумя типами примесных уровней (~ 0.45 эВ и ~ 0.27 эВ), а в ГП CdS/CdO/CdTe одним уровнем (~ 0.25 эВ).