Lungu, Ion2021-02-162021-02-162020LUNGU, Ion. Influența dopării cu aluminiu asupra proprietăților optice ale straturilor subțiri de ZnO. In: Studia Universitatis Moldaviae. Seria Științe exacte și economice: Matematică. Informatică. Fizică. Economie. Revistă științifică. 2020, nr.7 (137), pp. 23 - 30. ISSN 1857-2073.1857-2073http://studiamsu.eu/nr-7-137/http://doi.org/10.5281/zenodo.4457488https://msuir.usm.md/handle/123456789/3793Straturile nanostructurate ZnO au fost sintetizate din soluții chimice prin metoda pirolizei pulverizate. Prin analiza difracției cu raze X (XRD) și a spectroscopiei UV-Vi sau fost studiate efectele variației concentrației de aluminiu asupra proprietăților optice ale straturilor nanostructurate de ZnO. Concentrația aluminiului în soluția inițială a fost fixată la 0, 1, 2, 3 și 5%.Analiza difracției cu raze X (XRD) confirmă că d oparea cu 1% de aluminiu, în comparație cu celelalte concentrații, îmbunătățește structura cristalină. Cu creșterea concentrației de aluminiu dimensiunea cristalitelor se micșorează. Studiul spectroscopiei UV-Vis a straturilor subțiri indică o transmitanță sporită (~90%) în regiunea vizibilă a spectrului energetic cu lărgimea benzii interzise de 3,23 eV pentru ZnO nedopat și de 3,32 eV pentru ZnO dopat cu Al, care este aproape de valoarea „bulk” a ZnO (3,36 eV).ZnO nanostructured layers were synthesized from chemical solutions by the spray pyrolysis method. By using X-ray diffraction (XRD) method and UV-Vis spectroscopy, the effects of varying aluminium concentration on the optical properties of ZnO nanostructured layers were studied. The concentration of aluminium was set at 0, 1, 2, 3 and 5% in the initial solution. X-ray diffraction (XRD) analysis confirms that doping with 1% aluminium, compared to other concentrations, improves the crystal structure. As the concentration of Al increases, the size of the crystallites decreases. The study of UV-Vis spectroscopy of thin layers indicates an increased transmittance (~ 90%) in the visible region of the energy spectrum with a bandwidth of 3.23 eV for undoped ZnO and 3.32 eV for Al-doped ZnO, which is close to the “bulk” value of ZnO (3.36 eV).roZnOabsorbanțăstraturilor subțirioptoelectronicăArticle