Untilă, DumitruSprincean, VeaceslavCaraman, MihailCojocaru, AlaLupan, OlegTighineanu, IonPalachi, LeonidCaraman, Iuliana2024-09-112024-09-112018-05-24UNTILĂ, Dumitru; Veaceslav SPRINCEAN; Mihail CARAMAN; Ala COJOCARU; Oleg LUPAN; Ion TIGHINEANU; Leonid PALACHI și Iuliana CARAMAN. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics: 6th International Conference, Chisinau, May 24-27, 2018. Chisinau: UTM, 2018. pp.240-245.978-9975-45-540-4https://msuir.usm.md/handle/123456789/16022UNTILĂ, Dumitru; Veaceslav SPRINCEAN; Mihail CARAMAN; Ala COJOCARU; Oleg LUPAN; Ion TIGHINEANU; Leonid PALACHI și Iuliana CARAMAN. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2O3. In: Telecommunications, Electronics and Informatics: 6th International Conference, Chisinau, May 24-27, 2018. Chisinau: UTM, 2018. pp.240-245.Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.roGa2S3oxidareGa2O3XRDSEMRamanArticle