Potlog, TamaraLungu, Ion2024-09-052024-09-052024LUNGU, Ion. Fizica heterostructurilor CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice. Teza de doctor în științe fizice. Chișinău,2024. 145 p.https://msuir.usm.md/handle/123456789/15954Teză de doctor în științe fizice. 134.01 - Fizica și tehnologia materialelor. Conducător științific: doctor în științe fizico-matematice, conferențiar universitar, Tamara POTLOG.Analiza potențialului utilizării HJ CdS/ZnTe în aplicații fotovoltaice, cu accent pe elaborarea tehnologiei de obținere a benzii intermediare în stratul absorbant prin încorporarea oxigenului în rețeaua de ZnTe. Conceperea designului optimal al dispozitivului fotovoltaic în baza heterojoncțiunii CdS/ZnTe din punct de vedere al eficienței de conversie a energiei solare în energie electrică prin simularea numerică cu softul SCAPS-1D. Elaborarea tehnologiei de obținere a straturilor subțiri ZnO, CdS, ZnTe prin: dirijarea condițiilor tehnologice, dopare, modificarea controlată a morfologiei, proprietăților cristaline, electrice si optice. Realizarea dispozitivelor fotovoltaice în baza compușilor studiați, cercetarea proprietăților fotoelectrice și stabilirea mecanismului de transport al purtătorilor de sarcină electrică.Analyzing the potential of using HJ CdS/ZnTe in photovoltaic applications, with an emphasis on the development of the technology to obtain the intermediate band in the absorber layer by incorporating oxygen into the ZnTe network. Designing the optimal scheme of the photovoltaic device based on the CdS/ZnTe heterojunction in terms of solar energy conversion efficiency through numerical simulation with SCAPS-1D software. The development of the technology for obtaining ZnO, CdS, ZnTe thin films by optimizing the technological conditions, doping for controlled modification of the morphology, crystalline, electrical, and optical properties. Fabrication of photovoltaic devices based on the optimized compounds, studying their photoelectric properties, and establishing the transport mechanism of electric charge carriers.Aнализ потенциала использования HJ CdS/ZnTe в фотоэлектрических устройствах с упором на разработку технологии получения промежуточной полосы в абсорбирующем слое путем внедрения кислорода в решетку ZnTe. Разработка оптимально дизайна фотоэлектрического устройства на основе гетероперехода CdS/ZnTe с точки зрения эффективности преобразования солнечной энергии путем численного моделирования в программе SCAPS-1D. Разработка технологии получения тонких слоев ZnO, CdS, ZnTe путем: управление технологических условий, легирования, контролируемого изменения морфологии, кристаллических, электрических и оптических свойств. Создание фотоэлектрических устройств на основе изученных соединений, исследование фотоэлектрических свойств и установление механизма переноса носителей электрического заряда.rostraturi subțirimetoda CSScompuși A2B6simulare numerică SCAPS-1Dcaracteristici J–Ucaracteristici C-UXRDSEMAFMUV-VisFLbandă intermediarăspectroscopia de impedanțăthin filmsCSS methodA2B6 compoundsSCAPS-1D numerical simulationJ–U characteristicsC-U characteristicsXRDSEMAFMUV-VisFLintermediate bandimpedance spectroscopyтонкие пленкиметод квазизамкнутого объемасоединения A2B6I-U характеристикиC-U характеристикиРФА,СЭМАСМУФ-ВидФЛпромежуточная зонаимпедансная спектроскопиячисленное моделированиеThesis