Прилепов, ВладимирГашин, ПетрКирица, АркадийКоршак, ОлегСпоялэ, ДоринНаседкина, Надежда2021-04-012021-04-012009ПРИЛЕПОВ, Владимир; ГАШИН, Петру и др. Увеличение кратности фотоответа в структурах аморфные пленки As4Se3S3 – мелкодисперсный слой на основе ванадия и его окислов. In: Studia Universitatis Moldaviae.Seria Ştiinţe Reale şi ale Naturii: Biologie. Chimie. Revista științifică. 2009, nr. 6(26). pp. 219-221. ISSN 1814-3237.1814-3237http://studiamsu.eu/nr-6-26-2009/https://msuir.usm.md/handle/123456789/4052În lucrare sunt prezentate particularităţile tehnologice de obţinere a structurilor dispersate pe bază de vanadiu, inclusiv având suprafaţa ramificată (fractală). A fost stabilit că la depunerea peliculelor amorfe As4Se3S3 pe suprafeţe fractale, multiplicitatea fotocurentului pentru această strucutură se măreşte.The technological peculiarities of fine-dyspersated vanadium based structures depositions including the ones with furcated (fractal) surfaces are given in this paper. It has been shown that the deposition of amorphous As4Se3S3 films ontofractal surfaces results in the increase of the photocurrent multiplicity for this structure.rupelicule amorfe As4 Se3 S3suprafeţe fractalestructuri dispersate pe bază de vanadiuArticle