Djouadi, D.Boughiden, B.Chelouche, A.Nedeoglo, Dmitrii2018-05-242018-05-242007DJOUADI, D., BOUGHIDEN, B. et al Simulation et modelisation de la variation de la mobilite de hall des photoelectrons en fonction de la temperature dans les cristaux de n-ZnSe :Zn irradies avec des electrons energetiques. In: Sciences & Technologie. 2007, nr.26, pp. 63-68. ISSN 2602-6473.2602-6473http://revue.umc.edu.dz/index.php/a/article/view/164https://msuir.usm.md/handle/123456789/1756Dans l’intervalle de températures [77..300 K] a été mesurée la mobilité de Hall des électrons d’équilibre et des photoélectrons dans les cristaux de n-ZnSe :Zn irradiés avec un faisceau d’électrons d’énergie E=1,3 MeV et dont la dose d’irradiation varie entre 2,73 1016 et 5.19 1017 électrons/cm2 . Le comportement de la mobilité des photoélectrons s’explique parfaitement dans le cadre d’un modèle à deux-barrières d’un semiconducteur inhomogène représentant une matrice faiblement ohmique contenant des inclusions fortement ohmiques (clusters). En se basant sur les théories de Shik et de Petrossiyan , une expression approximative de la mobilité de Hall a été obtenue. Il a été montré que ce modèle fonctionne parfaitement pour les petites doses d’irradiation. Lorsque la dose dépasse une certaine valeur critique ( D= 2.98 1017 électrons /cm2) le modèle considéré passe au modèle du potentiel à relief aléatoire.frZnSemobilitéirradiationphotoélectronclustermodélisationsimulationArticle