Browsing by Author "Dmitroglo, Liliana"

Now showing 1 - 20 of 29

ABSORBȚIA OPTICĂ ȘI FOTOLUMINESCENȚA COMPOZITULUI Ga2S3-Ga2O3
(Universitatea Tehnică din Moldova, 2018-05-24) Сaraman, Iuliana; Evtodiev, Igor; Untilă, Dumitru; Dmitroglo, Liliana; Caraman, Mihail; Evtodiev, Silvia; Palachi, Leonid
În această lucrare sunt studiate absorbția optică și fotoluminescența cristalelor de Ga2S3, obținute prin metoda CVT în atmosferă de I2, și a compozitului Ga2S3–Ga2O3, obținut prin tratament termic al monocristalelor de Ga2S3 în atmosferă normală, la temperatura 1073K. S-a determinat că în rezultatul tratamentului termic de lungă durată (12 ore) suprafața cristalelor de Ga2S3 se acoperă cu un strat granular de Ga2O3. Din măsurări ale reflexiei difuze, lățimea benzii interzise a stratului de Ga2O3 de pe suprafața monocristalului Ga2S3 a fost aproximată ca fiind egală cu 4,47 eV. La 300K, marginea benzii de absorbție a cristalelor de Ga2S3 este formată din trei sectoare în care au loc tranziții optice directe cu lățimea benzii interzise egală cu 3,020 eV, 3,178 eV și 3,312 eV, iar la 80K - cu 3,196 eV, 3,302 eV și 3,422 eV. Spectrul de FL a cristalelor de Ga2S3 conține doar o singură bandă în regiunea roșu a spectrului, ce se interpretează ca emisie radiativă a stratului de Ga2S3, iar spectrul de FL al compozitului Ga2S3–Ga2O3 pe lângă banda roșie conține și o bandă în regiunea violet–albastru a spectrului, ce se identifică ca emisie radiativă în cristalele de oxid din compozitul Ga2O3-Ga2S3.
CRYSTALLINE STRUCTURE AND PHOTOLUMINESCENCE OF GaSe-CdSe NANOCOMPOSITE
(2015) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Kantser, Valeriu; Untila, Dumitru; Stamate, Marius; Gasin, Petru
A material consisting of CdSe and GaSe crystallites with average dimensions of 34 nm and 30 nm respectively was obtained by heat treatment at 753K and 853K of GaSe single crystal plates in Cd vapors during 24 hours. As a result of Cd atoms interaction with Se atoms CdSe layers are formed both onto outer surface and at interface of layered Se-Ga-Ga-Se packages. CdSe crystallites on the surface grow in the form of plates along C6 crystallographic axis. Photoluminescence spectra of the composite, at 78K and 300K, contain predominant bands from the luminescent emission of GaSe and CdSe components.
CRYSTALLINE STRUCTURE, SURFACE MORPHOLOGY AND OPTICAL PROPERTIES OF NANOLAMELLAR COMPOSITES OBTAINED BY INTERCALATION OF InSe WITH Cd
(2015) Untila, Dumitru; Caraman, Iuliana; Evtodiev, Igor; Canțer, Valeriu; Spalatu, Nicolae; Leontie, Liviu; Dmitroglo, Liliana; Luchian, Efimia
A material composed of InSe and CdSe crystallites was obtained by heat treatment at 753K of InSe single crystalline plates in Cd vapour for 3÷24 hours. The average diameters of CdSe and InSe crystallites determined from diffraction lines analysis are respectively equal to 20 nm and 22 nm. The photoluminescence spectra at 300K and 80K of composite decompose well into two Gaussian curves, one is in good correlation with the photoluminescence of CdSe crystals and the other is shifted to higher energies than the width of the band gap of CdSe crystals.
EFFECT OF CHLORINE DOPING ON CdTe THIN FILMS
(2013) Dumitriu, Petru; Potlog, Tamara; Mîrzac, Alexandra; Dmitroglo, Liliana; Luca, Dumitru
This paper analyzes the effect of chlorine treatment on the structure and resistance of CdTe layers. The morphology, chemical composition, and structure were studied using scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray analysis (EDX), and X-ray diffraction (XRD). Both non-activated and activated CdTe layers are polycrystalline with an average grain size being three times higher after chlorine activation and thermal treatment. All CdTe thin layers regardless of the treatment temperature have a cubic crystal structure.
FIZICA MOLECULARĂ: GHID METODIC PENTRU STUDENȚII DE LA ÎNVĂȚĂMÂNT CU FRECVENȚĂ REDUSĂ SPECIALITĂȚILE: TEHNOLOGIA INFORMAȚIEI ; INGINERIE ȘI MANAGEMENTUL CALITĂȚI
(CEP USM, 2020) Nicorici, Valentina; Dmitroglo, Liliana
Prezentul ghid cuprinde probleme de fizică moleculară și termodinamică și este destinat studenților Facultății de Fizică și Inginerie, secția de învățământ cu frecvență redusă, precum și celor de la facultățile cu profil ingineresc din instituțiile tehnice. La elaborarea ghidului,s-a ținut cont de legătura dintre tematica problemelor și curricul umul disciplinei. Cunoștințele matematice, necesare pentru rezolvarea problemelor, nu depășesc limitele unui curs obișnuit de matematică superioară, studiat la Facultatea de Fizică și Inginerie. Materialul teoretic este divizat în două compartimente. În fiecare compartiment sunt prezentate succint și esenți al note teoretice, formule de bază, exemple de rezolvare a unor probleme tipice și probleme pentru rezolvare individuală. Ghidul este în concordanță cu planul de învățământ pentru specialitățile Tehnologia informației și Inginerie și managementul calității .
FOTOLUMINESCENŢA MONOCRISTALELOR GaSe INTERCALATE CU Cd DIN SOLUŢIE DE CdCl2
(Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi, 2015) Dmitroglo, Liliana
Prin tratament termic la temperatura 753 K şi 853 K a plăcilor monocristaline de GaSe în vapori de Cd, timp de la 10 min pînă la 24 h, s-a obţinut un material compus din cristalite de CdSe şi GaSe cu dimensiuni medii de 34 nm şi, respectiv, 30 nm. În rezultatul interacţiunii atomilor de Cd cu atomii de Se, atît pe suprafaţa exterioară, cît şi la interfaţa dintre împachetările Se-Ga-Ga-Se, se formează straturi de CdSe. Cristalitele de CdSe pe suprafaţă cresc sub forma de plăci pe direcţia axei cristalografice C6. Spectrele de fotoluminescenţă (PL) la temperaturi de 78 K şi 300 K ale compozitului, conţin benzile dominante din spectrele de emisie luminescentă a componentelor compozitului GaSe şi CdSe.
FOTOLUMINESCENŢA STRATURILOR NANOLAMELARE DE GaSe OBŢINUTE PRIN INTERCALAREA CU Cd
(2012) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Nedeff, Valentin; Dafinei, Adrian
S-au analizat spectrele de emisie fotoluminescentă a lamelor monocristaline p-GaSe cu concentraţia golurilor3•1014 cm-3 şi a lamelor intercalate cu Cd în fază de vapori la temperatura 500 °C. Durata tratamentului termic a fost de 20 şi 24 ore. Spectrul de emisie al cristalelor de GaSe conţine liniile excitonilor direcţi localizaţi cu energia de legătură ~6 meV, prima repetare fononică a acestora (ħωf =20 meV) şi banda de emisie a excitonilor indirecţi cu emisia fononilor cu energia 15 meV. Spectrul de emisie a compozitelor obţinute prin intercalarea lamelor de GaSe cu Cd se obţine în rezultatul suprapunerii benzilor de emisie a compusului CdSe şi banda impuritară a monoseleniurii de galiu. Structura spectrului FL depinde de durata tratamentului termic. La majorarea timpului de tratament se amplifică subbanda corespunzătoare compusului CdSe.
FOTOREZISTOR PENTRU REGIUNEA ULTRAVIOLETĂ PE BAZĂ DE STRAT DIN NANOFIRE DE β-Ga2O
(CEP USM, 2022-11-10) Vatavu, Elmira; Sprincean, Veaceslav; Dmitroglo, Liliana; Gurău, Virginia; Caraman, Mihail
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF Eu DOPED GaSe SINGLE CRYSTALS BY X-RAY DIFFRACTION AND RAMAN SPECTROSCOPY
(CEP USM, 2017) Untila, Dumitru; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Kantser, Valeriu; Spalatu, Nicolae; Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Silvia; Spoială, Dorin; Rotaru, Irina; Gașin, Petru
GaSe single crystals doped with Eu (0.025, 0.05, 0.5, 1.0 and 3.0 at%) were grown by Bridgman method using Ga, Se and Eu elementary components. The crystalline structure and vibration modes of the GaSe: Eu crystals lattice were studied by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. Eu atoms arranged in the van der Waals space of GaSe: Eu crystals form Eu-Se valence bonds and restructure hexagonal lattice of GaSe leading to EuGa2Se4 crystallites formation. Defects generated by EuGa2Se4 crystallites lead to broadening and shifting of single phonon peaks present in Raman spectra towards shorter wavenumbers, and at the same time, activate the longitudinal optical vibrations of EuSe sublattice.
MONITORIZAREA CALITAȚII APEI PENTRU UNITAȚILE ECONOMICE DE PRODUCȚIE
(CEP USM, 2024) Gurău, Virginia; Leca, Ludmila; Dmitroglo, Liliana
An overview of key issues in the field of water quality monitoring is provided, highlighting recent advances and trends. Water quality monitoring involves the continuous assessment of physical, chemical, and biological parameters in natural water bodies, such as rivers, lakes, and oceans, as well as in municipal water supplies. Traditional monitoring methods relied heavily on manual sampling and laboratory analysis.
NANOLAMELLAR STRUCTURES OF OXIDE-AIIIBVI:Cd SEMICONDUCTORS TYPE FOR USE AS DETECTORS OF RADIATION IN THE UV SPECTRAL REGION
(Technical University of Moldova, 2011-07-07) Dmitroglo, Liliana; Untila, Dumitru; Chetruș, Petru; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Lazăr, Gabriel; Nedeff, Valentin
In the paper, optical and photoelectrical properties of GaSe and InSe single crystal films of 10-5÷10-7 m submicron thickness and of semiconductor-native oxide structures obtained by annealing at (450÷700)°C in a normal atmosphere, are studied. The absorption spectrum of InSe lamella as well as of GaSe lamella in the energetic range from the red threshold up to 4,5 eV contains three bands with a rapid increase of the absorption coefficient which varies in the limits of (100÷106) cm-1 At the energies higher than 1,25 eV and 2,01 eV for InSe and GaSe respectively the light absorption are determined by the direct optical transitions in the centre of the Brillouin zone and at the energies higher than. At the absorption coefficients of (100÷102)cm-1 the indirect optic transitions are present. 3,0 eV also by the direct optical transitions in the points of the bands high symmetry. The resistive photosensitivity bands cover the spectral range Eg≤ hν ≤ 4,5 eV for lamellar photoresistors in which electric field EC6. The resistive photosensitivity band width could be controlled by the lamella thickness for d ≥1μm. The open circuit voltage spectral distribution is analysed from which results that at the oxidation temperature of 700°C in GaSe layer at the heterojunction interface the defects are formed on which the charge carriers, collected in the junction, are dissipated. The noneequilibrium charge carrier free path is of 0,8 μm.
OPTICAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF NANOLAMELLAR STRUCTURES OBTAINED BY THERMAL ANNEALING OF InSe PLATES IN Zn VAPOURS
(John Wiley & Sons, 2018) Untila, Dumitru; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Spalatu, Nicolae; Dmitroglo, Liliana; Caraman, Mihail
The structural, optical and photoelectric properties of InSe crystals grown by Bridgman–Stockbarger method and ZnSe/InSe structures obtained on InSe by thermal annealing in Zn vapours are studied in this paper. The study of structural properties confirms that ZnSe compound is formed. The analysis of photoelectric properties reveal that both the ZnSe‐InSe composite layer and the composite/InSe heterojunction are photosensitive in the VIS‐NIR spectral region. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
OPTICAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF NANOLAMELLAR STRUCTURES OBTAINED BY THERMAL ANNEALING OF INSE PLATES IN Zn VAPOURS
(2018) Untila, Dumitru; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Spalatu, Nicolae; Dmitroglo, Liliana; Caraman, Mihail
The structural, optical and photoelectric properties of InSe crystals grown by Bridgman–Stockbarger method and ZnSe/InSe structures obtained on InSe by thermal annealing in Zn vapours are studied in this paper. The study of structural properties confirms that ZnSe compound is formed. The analysis of photoelectric properties reveal that both the ZnSe‐InSe composite layer and the composite/InSe heterojunction are photosensitive in the VIS‐NIR spectral region.
Optical Properties of III–VI Lamellar Semiconductors Doped with Cu and Cd and of Related III–VI/Native Oxide Structures
(American Scientific Publishers, 2011) Evtodiev, Silvia; Caraman, Iulia; Dmitroglo, Liliana; Leontie, L.; Nedeff, V.; Dafinei, A.; Lazar, G.; Evtodiev, I.
GaS, GaSe and GaTe are typical representatives of III–VI layered semiconductor materials, showing highly anisotropic mechanical and optical properties. At photon energies hν < E g , the anisotropy ratio for the absorption coefficients at the n = 1 excitonic peak, corresponding to E →‖C → and E →⊥C → polarizations, is α ‖/α ⊥≈15. Optical functions n e (λ) and n o (λ) of GaS and GaSe in the wavelength range 0.36–22 μm have been determined. For the photon energies hν < E g ind, these correspond to a normal dispersion and can be described by power-law wavelength dependences. By means of FTIR transmission and reflection spectroscopy in the spectral range of 1000–85 cm−1, for plan-parallel plates with thickness between several tens of nanometers and centimeters, the wavenumbers of longitudinal optical ν(LO) and transverse optical ν(TO) phonons have been determined for GaSe [ν ⊥(LO) = 254 cm−1, ν ⊥(TO) = 214 cm−1], GaS [ν ⊥(LO) = 359 cm−1, ν ⊥(TO) = 297 cm−1, ν ‖(LO) = 336 cm−1], and GaTe [ν(LO) = 164 cm−1, ν(TO) = 118 cm−1].
OPTICAL PROPERTIES OF ZnO THIN FILMS OBTAINED BY HEAT TREATMENT OF Zn THIN FILMS ON AMORPHOUS SiO2 SUBSTRATES AND SINGLE CRYSTALLINE GASE LAMELLAS
(Elsevier, 2016) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor; Untila, Dumitru
Optical absorption and photoluminescence of polycrystalline ZnO films obtained by thermal oxidation of Zn thin films deposited on amorphous SiO 2 (quartz) and (0001) surface of single crystalline GaSe lamellas have been investigated. The absorption edge of submicrometric ZnO films on quartz is determined by direct transitions corresponding to an optical band gap of 3.88 eV, at 300 K. For ZnO films with thickness between 1.5 and 10 μm, the absorption threshold is of excitonic nature. Photoluminescence of polycrystalline ZnO films on amorphous quartz reaches its maximum in the orange spectral range, while that of ZnO films on oriented single crystalline GaSe substrate covers the entire visible range. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
PHOTOLUMINESCENCE OF NANOCOMPOSITES OBTAINED BY HEAT TREATMENT OF GaS, GaSe, GaTe AND InSe SINGLE CRYSTALS IN Cd AND Zn VAPOR
(2016) Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Kantser, Valeriu; Untila, Dumitru; Rotaru, Irina; Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Silvia; Caraman, Mihail
The photoluminescence (PL) spectra of GaS, GaSe, GaTe and InSe semiconductors used as the basis materials to obtain nanocomposite by heat treatment in Zn and Cd vapor were studied. The PL spectra of ZnS–GaS, CdSe– GaSe, CdSe–InSe, ZnSe–InSe composites consist of wide bands covering a wide range of wavelengths in the antistokes region for CdSe, ZnSe and GaS crystallites from composites. The antistokes branches of spectra are interpreted as the shift of PL bands to high energies for nanosized crystallites.
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF LAMELLAR NANO-COMPOSITES OBTAINED BY Cd INTERCALATION OF GaSe AND GaSe:Eu SINGLE CRYSTALS
(2015) Untila, Dumitru; Cantser, Valeriu; Caraman, Mihail; Evtodiev, Igor; Leontie, Liviu; Dmitroglo, Liliana
In this work surface morphology, composition and photo- luminescence at 293 K and 78 K, of composite obtained by intercalation of GaSe and GaSe:Eu (0.49 at.% and 1.00 at.%) single crystal lamellas with Cd from vapor phase at 753 K and 830 K are investigated. As-obtained composite consists of CdSe and microstructured GaSe single crystallites. Photoluminescence spectrum of GaSe:Eu single crystal lamellas is composed of Eu3+ emission band 5 7 5 7 0 1 0 2( ,D F D FÆ Æ , and 5 7 1 3D FÆ transitions) and indirect exciton line in GaSe crystallites. Emission spectrum of single crystalline GaSe−CdSe composite, at 78 K and 293 K, consists of donor-acceptor band in GaSe microcrystallites and emission band of CdSe crystallites. Composite derived from the intercala- tion of GaSe:Eu (0.49 at.%) single crystals with Cd ex- hibits strong visible luminescence. Its quasi-continuous photoluminescence spectrum is produced by superposi- tion of luminescent emissions of CdSe nano- and mi- croparticles, and microstructured GaSe.
PROCESE DE GENERARE-RECOMBINARE A PURTĂTORILOR DE SARCINĂ DE NEECHILIBRU ÎN COMPOZITUL Ga2O3/Ga2Se3 ȘI ÎN STRUCTURILE MICROLAMELARE - Ga2O3/GaSe
(CEP USM, 2020) Sprincean, Veaceslav; Dmitroglo, Liliana; Vatavu-Cuculescu, Elmira; Caraman, Mihail
PROPRIETĂŢILE ELECTRICE ŞI FOTOELECTRICE ALE MONOSELENIURII DE GALIU DOPAT CU Cd
(CEP USM, 2011) Dmitroglo, Liliana; Vatavu, Elmira; Evtodiev, Igor; Caraman, Mihail
The paper is focused on analysis of structural transformations and investigations on electrical and photoelectrical properties of GaSe and GaSe: Cd semiconductors. The XRD analysis demonstrated that Cd atoms are homogeneously distributed in GaSe. It has been also shown that Cd atoms form localized levels which increase the absorption for hν
PROPRIETĂȚILE OPTICE Ș IFOTOELECTRICE ALE STRUCTURILOR NANOLAMELARE DIN CALCOGENURIDE Cd ȘI Ga
(2016) Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Igor
Scopul lucrării : Scopul lucrării constă în elaborarea procesului tehnologic de prelucrare a compozitelor nanolamelare din semiconductori de GaSe și CdSe cu proprietăți morfologice, optice și fotoelectrice relevante,și evidențierea perspectivelor de utilizare ale acestora în dispozitive opto și fotoelectrice pentru intervalul ultraviolet-vizibil-IR apropiat.