Browsing by Author "Кенжаев, З.Т."

Now showing 1 - 3 of 3

Влияние γ-облучения на электрофизические параметры кремния, легированного никелем при выращивании методом Чохральского [Articol]
(2025) Илиев, Х.М.; Исмайлов, К.А.; Косбергенов, Е.Ж.; Оджаев, В.Б.; Просолович, В.С.; Янковский, Ю.Н.; Кенжаев, З.Т.; Исаковa, Б.О.; Кушиев, Г.А.
Исследовано влияние γ-облучения на электрофизические параметры кремния, легированного никелем в процессе выращивания из расплава по методу Чохральского. Экспериментальные результаты, полученные методом растровой электронной микроскопии показали, что в кремнии, легированном никелем, при выращивании формируются скопления атомов Ni размером ~ 6÷8 мкм с поверхностной плотностью ~ (5÷8) 103 см-2. Установлено, что при облучении γ-квантами 60Со контрольных образцов, не легированных никелем, происходит компенсация материала вследствие генерации глубоких центров радиационного происхож-дения. Показано, что в процессе облучения атомы никеля диффундируют из скоплений в матрицу кремния, где при взаимодействии с радиационно-генерируемыми вакансиями междо-узельные атомы никеля Ni переходят в электрически активное положение в узле кристал-лической решетки Nis. Данные примесно-дефектные центры (Nis) термически устойчивы по крайней мере до температуры отжига 600 °C.
Влияние гамма-облучения на электрофизические параметры кремниевых фотоэлементов, легированных никелем
(2024) Кенжаев, З.Т.; Илиев, Х.М.; Оджаев, В.Б.; Мавлонов, Г.Х.; Просалович, В.С.; Косбергенов, Е.Ж.; Исмайлов, Б.К.; Исамов, С.Б; Олламбергенов, Ш.З.
Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров (Uxx – напряжение холостого хода, Jкз – плотность тока короткого замыкания, и τ – время жизни неравновесных носителей заряда) фотоэлементов, изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости с удельным сопротивлением ρ 0,5 Ом см, легированных никелем, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Показано, что у фотоэлементов, легированных никелем, эффективность преобразования солнечной энергии остается выше, чем у стандартных, вплоть до доз облучения 108 рад. Обнаружено, что c увеличением температуры диффузии атомов никеля радиационная устойчивость электрофизических параметров фотоэлементов увеличивается. Снижение концентрации рекомбинационно-активных радиационных дефектов обусловлено геттерированием атомами никеля технологических (фоновых) примесей и действием скоплений никеля как стоков для радиационно-индуцированных вакансий.
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов легированием никелем
(2023) Кенжаев, З.Т.; Зикриллаев, Н.Ф.; Аюпов, К.С.; Исмайлов, К.А.; Ковешников, С.М.; Исмаилов, Т.Б.
Показано, что в приповерхностной области солнечных элементов (СЭ) концентрация атомов никеля выше, чем в объеме, на 2–3 порядка, поэтому скорость геттерирования в данной области больше. Экспериментально определены оптимальные режимы геттерирования класте-рами никеля (то есть диффузии никеля – Т = 800–850 °С, дополнительного термического отжига – Т = 750–800 °С) и структура кремниевого СЭ, позволяющая повысить его эффектив-ность на 25–30% относительно контрольной. Выявлены физические механизмы влияния процессов диффузии примесных атомов никеля и дополнительного термического отжига на состояние атомов никеля в приповерхностной области и базе СЭ и соответственно на параметры СЭ. Созданы физические модели структуры кластера атомов никеля в кремнии и процесса геттерирования быстродиффундирующих примесей кластерами атомов никеля. Оценена энергия связи ~ 1,39 эВ атомов быстродиффундирующих примесей с кластером никеля. Расчет показывает, что легирование никелем может увеличить время жизни неосновных носителей заряда в 2–4 раза, а коэффициент собирания – в 1,4–2 раза. Эксперимен-тально продемонстрировано увеличение времени жизни неосновных носителей заряда до 2 раз и рост эффективности СЭ на 25–30%.